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      漏（lòu）源电压BV DSS (V)(Min.)：

      650

      导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

      70

      导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

      74

      最（zuì）大漏极电（diàn）流（liú）Id(on)(A)：

      47

      通（tōng）道极性：

      N沟道

      封装/温（wēn）度(℃)：

      TO-263-2L(D2PAK)/-55~125

      描述：

      650V,74mΩ,47A,N沟（gōu）道基于超级结技术的功率MOSFET



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